Silicon Carbide (SiC) thuộc về thế hệ bán dẫn thứ babắn cá 3d, cấu trúc điốt Schottky SiC độc quyền của P-Innovation có khả năng chịu điện áp cao hơn và dòng rò thấp hơn so với điốt Schottky truyền thống bằ Điều này giúp cải thiện đáng kể hiệu suất hệ thống, đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng hoạt động ở điện áp cao và tần số lớn. P-Innovation cung cấp nhiều dạng bao bì khác nhau để đáp ứng nhu cầu đa dạng trong các môi trường sử dụng khác nhau.