Điốt Silic cacbua (SiC SBD)

Điện tích phục hồi ngược của Diode Schottky SiC (Silicon Carbide) nhỏ hơn rất nhiều so với các loại diode thông thường làm từ silicon88vin shop, đồng thời Diode Schottky SiC có thể hoạt động ở nhiệt độ junction cao hơn. Nhờ đó, trong các bộ nguồn chuyển mạch, Diode Schottky SiC giúp giảm đáng kể tổn thất phục hồi ngược và tiếng ồn chuyển mạch, từ đó nâng cao hiệu suất chuyển đổi, mật độ công suất tổng thể và độ tin cậy của bộ nguồn. Các đặc tính vượt trội của Diode Schottky SiC có thể làm giảm đáng kể chi phí tổng thể của hệ thống điện tử công suất.

Lọc điều kiện:

Package
- TO220-2
- TO220F-2
- TO220I-2
- TO247-2
- TO247-3
- TO252-2
- TO263-2
- TO263S
- TO-3PF-3
- SMB
- DDPAK-LF-10
- TO-252-3
Blocking Voltage
- 650V
- 1200V
Current Rating
- 2A
- 4A
- 6A
- 8A
- 10A
- 16A
- 20A
- 40A
- 5A
- 15A
- 30A
- 60A

Xóa điều kiện

P/N	Buy Online	Package	Blocking Voltage	Current Rating	Q _C	I _FRM @25℃	Forward Voltage(V _F (type) @25℃	I _(FSM) @25℃	Data Sheet	LT Spice Model	Request Sample

P/N	Buy Online	Package	Blocking Voltage	Current Rating	Q _C	I _FRM @25℃	Forward Voltage(V _F (type) @25℃	I _(FSM) @25℃	Data Sheet	LT Spice Model	Request Sample

Điốt Silic cacbua (SiC SBD)

Lọc điều kiện:

Package

Blocking Voltage

Current Rating