Transistor GaN (GaN HEMT)

Vì vật liệu gallium nitride (GaN) có khả năng sinh nhiệt rất thấp và điện trường đánh thủng cực caođá gà thomo trực tiếp hôm nay gà đòn, các linh kiện công suất dựa trên GaN HEMT sở hữu điện áp rơi rất nhỏ và tổn hao chuyển mạch cực kỳ thấp. Điều này cho phép nguồn điện bật tắt sử dụng GaN HEMT hoạt động ở tần số chuyển mạch vượt quá 1 MHz, đồng thời sử dụng các linh kiện lưu trữ năng lượng với kích thước rất nhỏ, nhờ đó đạt được mật độ công suất rất cao. Chính vì vậy, GaN HEMT đang được ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực nguồn cung cấp điện cho thiết bị điện tử tiêu dùng và IT.