Vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba như silicon carbide (SiC) và gallium nitride (GaN) sở hữu những đặc tính vượt trội như dải cấm rộngbắn cá 3d, trường đánh thủng cao, độ dẫn nhiệt tốt, tốc độ bão hòa của điện tử nhanh và khả năng chống bức xạ mạnh. So với các linh kiện bán dẫn công suất truyền thống dựa trên silic, các linh kiện công suất dựa trên SiC và GaN có ưu điểm rõ rệt như điện trở dẫn thấp, tổn hao chuyển mạch nhỏ, nhiệt độ hoạt động cao và khả năng tản nhiệt tốt. Do đó, bộ biến đổi điện tử công suất sử dụng linh kiện SiC và GaN có thể nâng cao đáng kể tần số chuyển mạch, giảm kích thước bộ tản nhiệt, linh kiện lưu trữ năng lượng và bộ lọc, từ đó đạt được hiệu suất chuyển đổi và mật độ công suất cao hơn. Các linh kiện công suất SiC và GaN đang dần thay thế các linh kiện công suất truyền thống dựa trên silic, mang đến một cuộc cách mạng sâu rộng cho ngành công nghiệp bộ biến đổi điện tử. Công ty PNJ Semiconductor chuyên nghiên cứu và phát triển các thiết kế bán dẫn thế hệ thứ ba, với nền tảng kỹ thuật vững chắc và lợi thế toàn diện trong chuỗi cung ứng. Trong đó, thiết kế MOSFET SiC của PNJ Semiconductor đứng đầu trong ngành, với các chỉ số kỹ thuật quan trọng HDFM đạt mức dẫn đầu toàn cầu. PNJ Semiconductor đã ra mắt hơn 100 mô hình khác nhau của diode SiC, MOSFET SiC, module công suất SiC và GaN HEMT tại ba cấp điện áp 650V, 1200V và 1700V, cung cấp nhiều lựa chọn đa dạng và hỗ trợ kỹ thuật đầy đủ cho khách hàng. Sản phẩm sản xuất hàng loạt của PNJ Semiconductor đã được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực xe điện, nguồn cấp điện cho thiết bị IT, inverter quang điện, hệ thống lưu trữ năng lượng, ứng dụng công nghiệp và nhiều lĩnh vực khác, cung cấp ổn định cho các nhà sản xuất hàng đầu, đồng thời nhận được sự công nhận rộng rãi về chất lượng và năng lực cung ứng.